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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2011    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Infrared response of the lateral pin structure of a highly titanium-doped silicon-on-insulator material 期刊论文 Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 4 作者:  Ma Zhi-Hua;  Cao Quan;  Zuo Yu-Hua;  Zheng Jun;  Xue Chun-Lai 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2019/05/12 Infrared response  Ion implantation  Rapid thermal annealing  Intermediate band solar cell   Electrical transport properties of the si-doped cubic boron nitride thin films prepared by in situ cosputtering 期刊论文 Journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 2, 页码: 5 作者:  Ying, J.;  Zhang, X. W.;  Yin, Z. G.;  Tan, H. R.;  Zhang, S. G. 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Electrical transport properties of the Si-doped cubic boron nitride thin films prepared by in situ cosputtering 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 2, 页码: article no.23716 作者:  Yin ZG;  Zhang XW;  Tan HR;  Fan YM;  Zhang SG 收藏  |  浏览/下载：42/3  |  提交时间：2011/07/05 HIGH-PRESSURE SYNTHESIS  VAPOR-DEPOSITION  NUCLEATION  EMISSION  DIAMOND  GROWTH