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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2011    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Electronic band structures and electron spins of inas/gaas quantum dots induced by wetting-layer fluctuation 期刊论文 Journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 5, 页码: 5 作者:  Ning, J. Q.;  Xu, S. J.;  Ruan, X. Z.;  Ji, Yang;  Zheng, H. Z. 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Effect of built-in electric field in photovoltaic inas quantum dot embedded gaas solar cell 期刊论文 Applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 103, 期号: 2, 页码: 335-341 作者:  Shang, X. J.;  He, J. F.;  Wang, H. L.;  Li, M. F.;  Zhu, Y. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Effect of built-in electric field in photovoltaic InAs quantum dot embedded GaAs solar cell 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 103, 期号: 2, 页码: 335-341 作者:  He JF;  Li MF 收藏  |  浏览/下载：40/1  |  提交时间：2011/07/05 INTERMEDIATE-BAND  TRANSITIONS   Electronic band structures and electron spins of InAs/GaAs quantum dots induced by wetting-layer fluctuation 期刊论文 journal of applied physics, 2011, 卷号: 110, 期号: 5, 页码: 54320 Ning JQ; Xu SJ; Ruan XZ; Ji Y; Zheng HZ; Sheng WD; Liu HC 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/01/06 WELLS  RELAXATION  HOLE  PHOTOLUMINESCENCE  SEMICONDUCTORS  LOCALIZATION  TRANSITIONS  EXCITONS  CARRIERS  GROWTH