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科研机构
上海微系统与信息技... [10]
内容类型
期刊论文 [10]
发表日期
2011 [10]
学科主题
Physics [3]
Applied [2]
Crystallog... [2]
Crystallog... [1]
Crystallog... [1]
Instrument... [1]
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发表日期:2011
专题:上海微系统与信息技术研究所
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InP/InGaAs/InP DHBT structures with graded composition base grown by gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 卷号: 323, 期号: 1, 页码: 525-528
Teng,T
;
Ai,LK
;
Xu,AH
;
Sun,H
;
Zhu,FY
;
Qi,M
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/04/10
ELSEVIER SCIENCE BV
Quantum dot lasers grown by gas source molecular-beam epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 卷号: 323, 期号: 1, 页码: 450-453
Gong, Q
;
Chen, P
;
Li, SG
;
Lao, YF
;
Cao, CF
;
Xu, CF
;
Zhang, YG
;
Feng, SL(封松林)
;
Ma, CH
;
Wang, HL
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2012/04/10
ELSEVIER SCIENCE BV
Effect of Mg Doping on the Photoluminescence of GaN:Mg Films by Radio-Frequency Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 67807
Sui, YP
;
Yu, GH
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/04/10
IOP PUBLISHING LTD
Epitaxial growth of Ni(Al)Si0.7Ge0.3 on Si0.7Ge0.3/Si(100) by Al interlayer mediated epitaxy
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 98, 期号: 25, 页码: 252101
Zhang,B
;
Yu,W
;
Zhao,QT
;
Mussler,G
;
Jin,L
;
Buca,D
;
Hollander,B
;
Hartmann,JM
;
Zhang,M
;
Wang,X
;
Mantl,S
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2012/04/10
AMER INST PHYSICS
Temperature dependent characteristics of InAs/GaAs quantum dot laser grown by gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2011, 卷号: 54, 期号: 5, 页码: 445-448
Li, SG
;
Gong, Q
;
Cao, CF
;
Wang, XZ
;
Wang, RC
;
Fan, JP
;
Zhang, CX
;
Xia, LZ
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2012/04/10
ELSEVIER SCIENCE BV
Effect of Mg Doping on the Photoluminescence of GaN:Mg Films by Radio-Frequency Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 28, 期号: 6, 页码: 67807
Sui, YP
;
Yu, GH
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2013/05/10
Physics
Multidisciplinary
Quantum dot lasers grown by gas source molecular-beam epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 卷号: 323, 期号: 1, 页码: 450-453
Gong, Q
;
Chen, P
;
Li, SG
;
Lao, YF
;
Cao, CF
;
Xu, CF
;
Zhang, YG(重点实验室)
;
Feng, SL(重点实验室)
;
Ma, CH
;
Wang, HL
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/05/10
Crystallography
Materials Science
Physics
Multidisciplinary
Applied
Epitaxial growth of Ni(Al)Si0.7Ge0.3 on Si0.7Ge0.3/Si(100) by Al interlayer mediated epitaxy
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 98, 期号: 25, 页码: 252101
Zhang, B
;
Yu, W
;
Zhao, QT
;
Mussler, G
;
Jin, L
;
Buca, D
;
Hollander, B
;
Hartmann, JM
;
Zhang, M(重点实验室)
;
Wang, X(重点实验室)
;
Mantl, S
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2013/05/10
Physics
Applied
Temperature dependent characteristics of InAs/GaAs quantum dot laser grown by gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2011, 卷号: 54, 期号: 5, 页码: 445-448
Li, SG
;
Gong, Q
;
Cao, CF
;
Wang, XZ
;
Wang, RC
;
Fan, JP
;
Zhang, CX
;
Xia, LZ
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/05/10
Instruments & Instrumentation
Physics
Optics
Applied
InP/InGaAs/InP DHBT structures with graded composition base grown by gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2011, 卷号: 323, 期号: 1, 页码: 525-528
Teng, T
;
Ai, LK
;
Xu, AH
;
Sun, H
;
Zhu, FY
;
Qi, M
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2013/05/10
Crystallography
Materials Science
Physics
Multidisciplinary
Applied
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