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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2011 [4]
学科主题
半导体材料 [4]
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发表日期:2011
学科主题:半导体材料
内容类型:期刊论文
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Room-temperature spin photocurrent spectra at interband excitation and comparison with reflectance-difference spectroscopy in InGaAs/AlGaAs quantum wells
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.53519
Yu JL
;
Chen YH
;
Jiang CY
;
Liu Y
;
Ma H
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浏览/下载:36/4
  |  
提交时间:2011/07/05
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INVERSION ASYMMETRY
HETEROSTRUCTURES
SEGREGATION
INTERFACE
Effects of ultra-low Al alloying In(Al) As layer on the formation and evolution of InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.94311
作者:
Xu B
;
Zhou GY
;
Ye XL
;
Zhang HY
收藏
  |  
浏览/下载:54/5
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提交时间:2011/07/05
SELF-ORGANIZED ISLANDS
MOLECULAR-BEAM-EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
SURFACES
EMISSION
DENSITY
SIZE
Characteristics of charge density waves on the surfaces of quasi-one-dimensional charge-transfer complex layered organic crystals
期刊论文
physical review b, 2011, 卷号: 83, 期号: 12, 页码: article no.125434
Lin F
;
Huang XM
;
Qu SC
;
Fang ZY
;
Huang S
;
Song WT
;
Zhu X
;
Liu ZF
收藏
  |  
浏览/下载:50/5
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提交时间:2011/07/05
SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY
MOLECULAR CONDUCTORS
PHASE-TRANSITION
TETRACYANOQUINODIMETHANE
(EDO-TTF)(2)PF6
DERIVATIVES
TTF
Infrared transition properties of vanadium dioxide thin films across semiconductor-metal transition
期刊论文
rare metals, 2011, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 247-251
作者:
Li GK
收藏
  |  
浏览/下载:75/2
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提交时间:2011/07/05
vanadium dioxide
infrared transition
diffraction effect
dual ion beam sputtering
annealing
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