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期刊论文 [4]
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2010 [4]
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Dependence of GaN film sheet resistance on the N/sub 2/ carrier gas percentage
期刊论文
2010, 2010
Xi Guang-Yi
;
Hao Zhi-Biao
;
Wang Lai
;
Li Hong-Tao
;
Jiang Yang
;
Zhao Wei
;
Ren Fan
;
Han Yan-Jun
;
Sun Chang-Zheng
;
Luo Yi
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Microstructure of cold rolled single crystal Cu
期刊论文
2010, 2010
Wu Tingkun
;
Liu Wei
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Growth of Ge layer on relaxed Ge-rich SiGe by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition
期刊论文
2010, 2010
Liu Jialei
;
Liang Renrong
;
Wang Jing
;
Xu Yang
;
Xu Jun
;
Liu Zhihong
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Characterization of dislocation etch pits in HVPE-grown GaN using different wet chemical etching methods
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2010, 卷号: 504, 期号: 1, 页码: 186-191
作者:
Zhang, Lei
;
Shao, Yongliang
;
Wu, Yongzhong
;
Hao, Xiaopeng
;
Chen, Xiufang
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提交时间:2019/12/26
Dislocation
Etch pits
Hydride vapor phase epitaxy
GaN
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