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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2010     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of algan/aln stacked interlayers on gan growth on si (111) 期刊论文 Chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 3 作者:  Wang Hui;  Liang Hu;  Wang Yong;  Ng Kar-Wei;  Deng Dong-Mei 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Effects of AlGaN/AlN Stacked Interlayers on GaN Growth on Si (111) 期刊论文 chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: art. no. 038103 Wang H (Wang Hui); Liang H (Liang Hu); Wang Y (Wang Yong); Ng KW (Ng Kar-Wei); Deng DM (Deng Dong-Mei); Lau KM (Lau Kei-May) 收藏  |  浏览/下载：96/3  |  提交时间：2010/04/22 VAPOR-PHASE EPITAXY  TEMPERATURE ALN INTERLAYERS  CRACK-FREE GAN  STRESS-CONTROL  SI(111)  DEPOSITION  REDUCTION  THICKNESS  NITRIDE  LAYERS