×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [19]
内容类型
期刊论文 [19]
发表日期
2010 [19]
学科主题
半导体材料 [5]
光电子学 [4]
半导体物理 [2]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共19条,第1-10条
帮助
限定条件
发表日期:2010
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
First principles study of electronic properties of gallium nitride nanowires grown along different crystal directions
期刊论文
Computational materials science, 2010, 卷号: 50, 期号: 2, 页码: 344-348
作者:
Wang, Zhiguo
;
Zhang, Chunlai
;
Li, Jingbo
;
Gao, Fei
;
Weber, William J.
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Gan nanowires
Electronic properties
First principles
Preparation and optical performance of freestanding gan thick films
期刊论文
Rare metal materials and engineering, 2010, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 2169-2172
作者:
Hu Qiang
;
Wei Tongbo
;
Duan Ruifei
;
Yang Jiankun
;
Huo Ziqiang
收藏
  |  
浏览/下载:29/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Gan
Hvpe
Freestanding thick films
Stress release
Photoluminescence
Optical properties of inn rods on sapphire grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 138-141
作者:
Sun, Yuanping
;
Cho, Yong-Hoon
;
Dai, Zhenhong
;
Wang, Weitian
;
Wang, Hui
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Microphotoluminescence investigation of inas quantum dot active region in 1.3 mu m vertical cavity surface emitting laser structure
期刊论文
Journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 7, 页码: 5
作者:
Ding, Y.
;
Fan, W. J.
;
Ma, B. S.
;
Xu, D. W.
;
Yoon, S. F.
收藏
  |  
浏览/下载:24/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Measurement of w-inn/h-bn heterojunction band offsets by x-ray photoemission spectroscopy
期刊论文
Nanoscale research letters, 2010, 卷号: 5, 期号: 8, 页码: 1340-1343
作者:
Liu, J. M.
;
Liu, X. L.
;
Xu, X. Q.
;
Wang, J.
;
Li, C. M.
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Valence band offset
W-inn/h-bn heterojunction
X-ray photoelectron spectroscopy
Conduction band offset
Valence band offset
Effects of gan capping on the structural and the optical properties of inn nanostructures grown by using mocvd
期刊论文
Journal of the korean physical society, 2010, 卷号: 57, 期号: 1, 页码: 128-132
作者:
Sun, Yuanping
;
Sun, Yuanping
;
Cho, Yong-Hoon
;
Wang, Hui
;
Wang, Lili
收藏
  |  
浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Inn
Burstein-moss effect
Quantum confinement effect
Activation energy
Blue luminescent properties of silicon nanowires grown by a solid-liquid-solid method
期刊论文
Chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 5, 页码: 3
作者:
Peng Ying-Cai
;
Fan Zhi-Dong
;
Bai Zhen-Hua
;
Zhao Xin-Wei
;
Lou Jian-Zhong
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Luminescence nanocrystals for solar cell enhancement
期刊论文
Journal of nanoscience and nanotechnology, 2010, 卷号: 10, 期号: 3, 页码: 1418-1429
作者:
Liu, Shu-Man
;
Chen, Wei
;
Wang, Zhan-Guo
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Luminescence
Nanocrystal
Solar cells
Photon conversion
Origins of magnetism in transition metal doped Cul
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 043713
Wang J (Wang Jing)
;
Li JB (Li Jingbo)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
收藏
  |  
浏览/下载:86/0
  |  
提交时间:2010/10/11
AUGMENTED-WAVE METHOD
OPTICAL-PROPERTIES
CUPROUS HALIDES
COPPER HALIDES
BAND-STRUCTURE
CUBR
PHOTOEMISSION
PRESSURE
DENSITY
STATES
First principles study of electronic properties of gallium nitride nanowires grown along different crystal directions
期刊论文
computational materials science, 2010, 卷号: 50, 期号: 2, 页码: 344-348
作者:
Li JB
收藏
  |  
浏览/下载:52/11
  |  
提交时间:2011/07/05
GaN nanowires
Electronic properties
First principles
GAN NANOWIRES
AB-INITIO
EMISSION PROPERTIES
SEMICONDUCTORS
ARRAYS
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace