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混合晶向反型模式全包围栅CMOS场效应晶体管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101719501A, 申请日期: 2010-06-02, 公开日期: 2010-06-02
肖德元; 王曦; 张苗; 陈静; 薛忠营
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混合晶向积累型全包围栅CMOS场效应晶体管 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101710585A, 申请日期: 2010-05-19, 公开日期: 2010
肖德元; 王曦; 张苗; 陈静; 薛忠营
收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2012/01/06


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