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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2010    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The growth of ZnO on bcc-In2O3 buffer layers and the valence band offset determined by X-ray photoemission spectroscopy 期刊论文 solid state communications, 2010, 卷号: 150, 期号: 41-42, 页码: 1991-1994 Song HP (Song H. P.); Zheng GL (Zheng G. L.); Yang AL (Yang A. L.); Guo Y (Guo Y.); Wei HY (Wei H. Y.); Li CM (Li C. M.); Yang SY (Yang S. Y.); Liu XL (Liu X. L.); Zhu QS (Zhu Q. S.); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/27 ZnO  In2O3  MOCVD  Photoelectron spectroscopies  IN2O3-ZNO FILMS  TRANSPARENT  OXIDE  SEMICONDUCTORS  INN   Molecular beam epitaxy of GaSb on GaAs substrates with AlSb/GaSb compound buffer layers 期刊论文 thin solid films, 2010, 卷号: 519, 期号: 1, 页码: 228-230 Hao RT (Hao Ruiting); Deng SK (Deng Shukang); Shen LX (Shen Lanxian); Yang PZ (Yang Peizhi); Tu JL (Tu Jielei); Liao H (Liao Hua); Xu YQ (Xu Yingqiang); Niu ZC (Niu Zhichuan) 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/12/28 Gallium Arsenide  Gallium antimonide  Gallium antimonide/Aluminum antimonide  Superlattices  Molecular Beam Epitaxy  VAPOR-PHASE EPITAXY  SURFACE-MORPHOLOGY  GROWTH  SUPERLATTICES  TEMPERATURE  RELAXATION  DETECTORS  GAAS(001)  MOCVD  FILMS   Evaluating the effect of dislocation on the photovoltaic performance of metamorphic tandem solar cells 期刊论文 science china-technological sciences, 2010, 卷号: 53, 期号: 9, 页码: 2569-2574 Zhang H (Zhang Han); Chen NF (Chen NuoFu); Wang Y (Wang Yu); Zhang XW (Zhang XingWang); Yin ZG (Yin ZhiGang); Shi HW (Shi HuiWei); Wang YS (Wang YanSuo); Huang TM (Huang TianMao); Bai YM (Bai YiMing); Fu Z (Fu Zhen) 收藏  |  浏览/下载：250/25  |  提交时间：2010/09/07 tandem solar cell  theoretical efficiency  dislocation  buffer layers