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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2009    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Two-photon excited fluorescence from cdse quantum dots on sin photonic crystals 期刊论文 Applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 22, 页码: 3 作者:  Xu, Xingsheng;  Yamada, Toshiki;  Ueda, Rieko;  Otomo, Akira 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Cadmium compounds  Fluorescence  High-speed optical techniques  Ii-vi semiconductors  Photoluminescence  Photonic crystals  Semiconductor quantum dots  Silicon compounds  Two-photon processes   Enhanced infrared emission from colloidal hgte nanocrystal quantum dots on silicon-on-insulator photonic crystals 期刊论文 Applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 5, 页码: 3 作者:  Wang, Chunxia;  Roither, Juergen;  Kirschschlager, Raimund;  Kovalenko, Maksym V.;  Brehm, Moritz 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Colloidal crystals  Ii-vi semiconductors  Infrared spectra  Mercury compounds  Nanostructured materials  Photoluminescence  Photonic crystals  Semiconductor quantum dots  Silicon-on-insulator   Determination of MgO/AlN heterojunction band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy (vol 94, 052101, 2009) 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 12, 页码: art. no. 129901 作者:  Wei HY;  Song HP;  Jiao CM 收藏  |  浏览/下载：379/108  |  提交时间：2010/03/08 aluminium compounds  core levels  III-V semiconductors  magnesium compounds  semiconductor heterojunctions  semiconductor-insulator boundaries  X-ray photoelectron spectra   The application of SnS nanoparticles to bulk heterojunction solar cells 期刊论文 journal of alloys and compounds, 2009, 卷号: 482, 期号: 1-2, 页码: 203-207 作者:  Tan FR 收藏  |  浏览/下载：65/2  |  提交时间：2010/03/08 Nanostructures  SnS  Polymers  Solar cells   Enhanced infrared emission from colloidal HgTe nanocrystal quantum dots on silicon-on-insulator photonic crystals 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 5, 页码: art. no. 053107 作者:  Tan PH;  Liu J 收藏  |  浏览/下载：61/1  |  提交时间：2010/03/08 colloidal crystals  II-VI semiconductors  infrared spectra  mercury compounds  nanostructured materials  photoluminescence  photonic crystals  semiconductor quantum dots  silicon-on-insulator   Role of edge dislocation and Si impurity in linking the blue luminescence and yellow luminescence in n-type GaN films 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 4, 页码: art. no. 041901 作者:  Yang H;  Wang H;  Wang H;  Wang YT;  Yang H 收藏  |  浏览/下载：64/1  |  提交时间：2010/03/08 edge dislocations  gallium compounds  III-V semiconductors  impurities  photoluminescence  semiconductor doping  semiconductor thin films  silicon  wide band gap semiconductors  X-ray diffraction