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浏览/检索结果: 共30条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2009    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 1 x 4 ge-on-soi pin photodetector array for parallel optical interconnects 期刊论文 Journal of lightwave technology, 2009, 卷号: 27, 期号: 24, 页码: 5687-5689 作者:  Xue, Chunlai;  Xue, Haiyun;  Cheng, Buwen;  Hu, Weixuan;  Yu, Yude 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Integrated optoelectronics  Optical communication  Optical interconnections  Optoelectronic devices  Photodetector arrays   Electroluminescence from ge on si substrate at room temperature 期刊论文 Applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 9, 页码: 3 作者:  Hu, Weixuan;  Cheng, Buwen;  Xue, Chunlai;  Xue, Haiyun;  Su, Shaojian 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Deep levels in high resistivity gan detected by thermally stimulated luminescence and first-principles calculations 期刊论文 Journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 15, 页码: 4 作者:  Gai, Yanqin;  Li, Jingbo;  Hou, Qifeng;  Wang, Xiaoliang;  Xiao, Hongling 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Transport properties in a gated heterostructure with a trapezoidal alxga1-xas barrier layer 期刊论文 Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2009, 卷号: 41, 期号: 8, 页码: 1379-1381 作者:  Tan, X. T.;  Zheng, H. Z.;  Liu, J.;  Zhu, H.;  Xu, P. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Hemt  2deg   Top-emission si-based phosphor organic light emitting diode with au doped ultrathin n-si film anode and bottom al mirror 期刊论文 Applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 3, 页码: 3 作者:  Li, Y. Z.;  Xu, W. J.;  Ran, G. Z.;  Qin, G. G. 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Aluminium  Crystallisation  Diffusion  Elemental semiconductors  Gold  Organic light emitting diodes  Phosphors  Semiconductor thin films  Silicon  Sputter deposition   The field emission properties of nonpolar a-plane n-type gan films grown on nano-patterned sapphire substrates 期刊论文 Physica status solidi a-applications and materials science, 2009, 卷号: 206, 期号: 7, 页码: 1501-1503 作者:  Sun, Lili;  Yan, Fawang;  Wang, Junxi;  Zhang, Huixiao;  Zeng, Yiping 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Enhancement of field emission of the zno film by the reduced work function and the increased conductivity via hydrogen plasma treatment 期刊论文 Applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 26, 页码: 3 作者:  You, J. B.;  Zhang, X. W.;  Cai, P. F.;  Dong, J. J.;  Gao, Y. 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Atomic force microscopy  Field emission  Hydrogen  Ii-vi semiconductors  Plasma materials processing  Sputter deposition  Wide band gap semiconductors  Work function  Zinc compounds   Zero biased ge-on-si photodetector with a bandwidth of 4.72 ghz at 1550 nm 期刊论文 Chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 2542-2544 作者:  Xue Hai-Yun;  Xue Chun-Lai;  Cheng Bu-Wen;  Yu Yu-De;  Wang Qi-Ming 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Si-based  Ge  Epitaxy  Photodetector   High efficiency passively q-switched mode-locking nd:gdvo4 laser with lt-in0.25ga0.75as saturable absorber 期刊论文 Optical materials, 2009, 卷号: 31, 期号: 8, 页码: 1215-1217 作者:  Pan, S. D.;  Zhao, L. N.;  Yuan, Y.;  Zhu, S. N.;  He, J. L. 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Semiconductor saturable absorber  Q-switch  Mode lock  Nd:gdvo4   Growth-parameter spaces and optical properties of cubic boron nitride films on si(001) 期刊论文 Chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 4 作者:  Fan Ya-Ming;  Zhang Xing-Wang;  You Jing-Bi;  Ying Jie;  Tan Hai-Ren 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12