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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2009    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Structure and electronic properties of saturated and unsaturated gallium nitride nanotubes 期刊论文 Journal of physical chemistry c, 2009, 卷号: 113, 期号: 44, 页码: 19281-19285 作者:  Wang, Zhiguo;  Wang, Shengjie;  Li, Jingbo;  Gao, Fei;  Weber, William J. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 A mini-staged multi-stacked quantum cascade laser for improved optical and thermal performance 期刊论文 Semiconductor science and technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 7, 页码: 5 作者:  Liu, Junqi;  Liu, Fengqi;  Li, Lu;  Wang, Lijun;  Wang, Zhanguo 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH OF GaN ON SILICON-ON-INSULATOR 期刊论文 modern physics letters b, 2009, 卷号: 23, 期号: 15, 页码: 1881-1887 Zhang B; Chen J; Wang X; Wu AM; Luo JX; Wang X; Zhang MA; Wu YX; Zhu JJ; Yang H 收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2010/03/08 GaN  epitaxial lateral overgrowth   A mini-staged multi-stacked quantum cascade laser for improved optical and thermal performance 期刊论文 semiconductor science and technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 7, 页码: art. no. 075023 作者:  Li L 收藏  |  浏览/下载：83/4  |  提交时间：2010/03/08 ROOM-TEMPERATURE   Growth of nonpolar a-plane gan on nano-patterned r-plane sapphire substrates 期刊论文 Applied surface science, 2009, 卷号: 255, 期号: 6, 页码: 3664-3668 作者:  Gao, Haiyong 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Nonpolar  Mocvd  Nano-patterned   Suppression of indium droplet formation by adding CCl4 during metalorganic chemical vapor deposition growth of InN films 期刊论文 semiconductor science and technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 7, 页码: art. no. 075004 作者:   收藏  |  浏览/下载：47/1  |  提交时间：2010/03/08 ELECTRON-TRANSPORT  PHASE EPITAXY  NITRIDE INN  BAND-GAP