×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [26]
内容类型
期刊论文 [26]
发表日期
2009 [26]
学科主题
半导体物理 [26]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共26条,第1-10条
帮助
限定条件
发表日期:2009
学科主题:半导体物理
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
GaAs-Based Metamorphic Long-Wavelength InAs Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: art. no. 067801
作者:
Xu YQ
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2010/03/08
MU-M
LASER
ISLANDS
Electron spin relaxation by nuclei and holes in single InAs quantum dots
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 22, 页码: art.no.221903
作者:
Jiang DS
;
Niu ZC
;
Chang XY
收藏
  |  
浏览/下载:202/38
  |  
提交时间:2010/03/08
electron spin polarisation
Photoluminescence of Charged Low-Density InAs/GaAs Quantum Dots
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: art.no.107801
Wang HL (Wang Hai-Li)
;
Xiong YH (Xiong Yong-Hua)
;
Huang SS (Huang She-Song)
;
Ni HQ (Ni Hai-Qiao)
;
He ZH (He Zhen-Hong)
;
Dou XM (Dou Xiu-Ming)
;
Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
收藏
  |  
浏览/下载:115/22
  |  
提交时间:2010/03/08
1.3 MU-M
Electronic and Mechanical Coupling in Bent ZnO Nanowires
期刊论文
advanced materials, 2009, 卷号: 21, 期号: 48, 页码: 4937
Han XB
;
Kou LZ
;
Lang XL
;
Xia JB
;
Wang N
;
Qin R
;
Lu J
;
Xu J
;
Liao ZM
;
Zhang XZ
;
Shan XD
;
Song XF
;
Gao JY
;
Guo WL
;
Yu DP
收藏
  |  
浏览/下载:56/0
  |  
提交时间:2010/04/04
QUANTUM WIRES
SI SUBSTRATE
STRAIN
ARRAYS
PHOTOLUMINESCENCE
SILICON
Time-Resolved Photoluminescence of Metamorphic InGaAs Quantum Wells
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: art.no.107803
Ma SS (Ma Shan-Shan)
;
Wang, BR (Wang Bao-Rui)
;
Sun BQ (Sun Bao-Quan)
;
Wu DH (Wu Dong-Hai)
;
Ni HQ (Ni Hai-Qiao)
;
Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
收藏
  |  
浏览/下载:179/72
  |  
提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Deep levels in high resistivity GaN detected by thermally stimulated luminescence and first-principles calculations
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 15, 页码: art. no. 155403
作者:
Li JB
;
Hou QF
收藏
  |  
浏览/下载:65/11
  |  
提交时间:2010/03/08
N-TYPE GAN
ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS
VAPOR-PHASE EPITAXY
DEFECTS
THERMOLUMINESCENCE
CARBON
TRAP
Correlations between antibunching and blinking of photoluminescence from a single CdSe quantum dot
期刊论文
european physical journal d, 2009, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 691-697
Xu, XS (Xu, X. S.)
;
Yamada, T (Yamada, T.)
;
Yokoyama, S (Yokoyama, S.)
收藏
  |  
浏览/下载:188/41
  |  
提交时间:2010/03/08
FLUORESCENCE
Spin-Polarized Localized Exciton Photoluminescence Dynamics in GaInNAs Quantum Wells
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 10, 页码: art.no.100206
Lu SL (Lu, Shulong)
;
Nosho H (Nosho, Hidetaka)
;
Tackeuchi A (Tackeuchi, Atsushi)
;
Bian LF (Bian, Lifeng)
;
Dong JR (Dong, Jianrong)
;
Niu ZC (Niu, Zhichuan)
收藏
  |  
浏览/下载:175/28
  |  
提交时间:2010/03/08
ALLOYS
Room temperature photoluminescence of tensile-strained Ge/Si0.13Ge0.87 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 14, 页码: art. no. 141902
Chen YH
;
Li C
;
Zhou ZW
;
Lai HK
;
Chen SY
;
Ding WC
;
Cheng BW
;
Yu YD
收藏
  |  
浏览/下载:92/14
  |  
提交时间:2010/03/08
chemical vapour deposition
elemental semiconductors
energy gap
germanium
Ge-Si alloys
photoluminescence
semiconductor epitaxial layers
semiconductor quantum wells
silicon
tensile strength
Anomalous Pressure Behavior of N-Cluster Emissions in GaAs0.973Sb0.022N0.005
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: art.no.127101
Wang, WJ (Wang Wen-Jie)
;
Deng, JJ (Deng Jia-Jun)
;
Fu, XQ (Fu Xing-Qiu)
;
Hu, B (Hu Bing)
;
Ding, K (Ding Kun)
收藏
  |  
浏览/下载:230/52
  |  
提交时间:2010/03/08
TEMPERATURE-DEPENDENCE
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace