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科研机构
半导体研究所 [11]
内容类型
期刊论文 [9]
会议论文 [2]
发表日期
2009 [11]
学科主题
半导体材料 [11]
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发表日期:2009
学科主题:半导体材料
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In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD
会议论文
international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007
Sun, GS
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Liu, XF
;
Ji, G
;
Zeng, YP
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/03/09
in-situ doping
boron
aluminum
memory effects
hot-wall LPCVD
4H-SiC
Binding Energy and Spin-Orbit Splitting of a Hydrogenic Donor Impurity in AlGaN/GaN Triangle-Shaped Potential Quantum Well
期刊论文
nanoscale research letters, 2009, 卷号: 4, 期号: 11, 页码: 1315-1318
Wang J (Wang Jun)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Lu YW (Lue Yan-Wu)
;
Liu XL (Liu Xiang-Lin)
;
Yang SY (Yang Shao-Yan)
;
Zhu QS (Zhu Qin-Sheng)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
收藏
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浏览/下载:276/95
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提交时间:2010/03/08
Binding energy
Epitaxial Growth of AlInGaN Quaternary Alloys by RF-MBE
期刊论文
journal of inorganic materials, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 559-562
Wang BZ
;
Wang XL
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2010/03/08
AlInGaN
RF-MBE
structural properties
optical properties
A mini-staged multi-stacked quantum cascade laser for improved optical and thermal performance
期刊论文
semiconductor science and technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 7, 页码: art. no. 075023
作者:
Li L
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浏览/下载:83/4
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提交时间:2010/03/08
ROOM-TEMPERATURE
Theoretical analysis of modal gain in p-doped 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dot lasers
会议论文
5th international conference on semiconductor quantum dots, gyeongju, south korea, may 11-16, 2008
作者:
Ma WQ
;
Cao YL
;
Yang T
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/03/09
DENSITY-OF-STATES
Wet etching and infrared absorption of AlN bulk single crystals
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 7, 页码: 27-30
作者:
Ke Jianhong
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/23
Characterization of Thick GaN Films Directly Grown on Wet-Etching Patterned Sapphire by HVPE
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: art. no. 096801
作者:
Yang JK
;
Wei TB
;
Duan RF
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浏览/下载:73/3
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提交时间:2010/03/08
VAPOR-PHASE EPITAXY
DISLOCATIONS
SUBSTRATE
LAYER
Influence of a tilted cavity on quantum-dot optoelectronic active devices
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 9, 页码: 37-40
作者:
Xu Bo
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/11/23
An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application
期刊论文
solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335
作者:
Zhang ML
;
Hou QF
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浏览/下载:129/30
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/AlN/GaN
HEMT
MOCVD
SiC substrate
Power device
Improvement in crystal quality of ZnO film on Si substrate by using a homo-buffer layer
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2009, 卷号: 12, 期号: 6, 页码: 233-237
作者:
Zhao J
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浏览/下载:44/4
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提交时间:2011/07/05
ZnO
Pulsed laser deposition
X-ray diffraction
Photoluminescence
Reflection high-energy electron diffraction
PULSED-LASER DEPOSITION
THIN-FILMS
PLD TECHNIQUE
GROWTH
SAPPHIRE
TEMPERATURE
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