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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2009    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD 会议论文 international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007 Sun, GS; Zhao, YM; Wang, L; Wang, L; Zhao, WS; Liu, XF; Ji, G; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/03/09 in-situ doping  boron  aluminum  memory effects  hot-wall LPCVD  4H-SiC   Binding Energy and Spin-Orbit Splitting of a Hydrogenic Donor Impurity in AlGaN/GaN Triangle-Shaped Potential Quantum Well 期刊论文 nanoscale research letters, 2009, 卷号: 4, 期号: 11, 页码: 1315-1318 Wang J (Wang Jun); Li SS (Li Shu-Shen); Lu YW (Lue Yan-Wu); Liu XL (Liu Xiang-Lin); Yang SY (Yang Shao-Yan); Zhu QS (Zhu Qin-Sheng); Wang ZG (Wang Zhan-Guo) 收藏  |  浏览/下载：276/95  |  提交时间：2010/03/08 Binding energy   Epitaxial Growth of AlInGaN Quaternary Alloys by RF-MBE 期刊论文 journal of inorganic materials, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 559-562 Wang BZ; Wang XL 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/03/08 AlInGaN  RF-MBE  structural properties  optical properties   A mini-staged multi-stacked quantum cascade laser for improved optical and thermal performance 期刊论文 semiconductor science and technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 7, 页码: art. no. 075023 作者:  Li L 收藏  |  浏览/下载：83/4  |  提交时间：2010/03/08 ROOM-TEMPERATURE   Theoretical analysis of modal gain in p-doped 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dot lasers 会议论文 5th international conference on semiconductor quantum dots, gyeongju, south korea, may 11-16, 2008 作者:  Ma WQ;  Cao YL;  Yang T 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/03/09 DENSITY-OF-STATES   Wet etching and infrared absorption of AlN bulk single crystals 期刊论文 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 7, 页码: 27-30 作者:  Ke Jianhong 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23 Characterization of Thick GaN Films Directly Grown on Wet-Etching Patterned Sapphire by HVPE 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: art. no. 096801 作者:  Yang JK;  Wei TB;  Duan RF 收藏  |  浏览/下载：73/3  |  提交时间：2010/03/08 VAPOR-PHASE EPITAXY  DISLOCATIONS  SUBSTRATE  LAYER   Influence of a tilted cavity on quantum-dot optoelectronic active devices 期刊论文 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 9, 页码: 37-40 作者:  Xu Bo 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/23 An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application 期刊论文 solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335 作者:  Zhang ML;  Hou QF 收藏  |  浏览/下载：129/30  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN/AlN/GaN  HEMT  MOCVD  SiC substrate  Power device   Improvement in crystal quality of ZnO film on Si substrate by using a homo-buffer layer 期刊论文 materials science in semiconductor processing, 2009, 卷号: 12, 期号: 6, 页码: 233-237 作者:  Zhao J 收藏  |  浏览/下载：44/4  |  提交时间：2011/07/05 ZnO  Pulsed laser deposition  X-ray diffraction  Photoluminescence  Reflection high-energy electron diffraction  PULSED-LASER DEPOSITION  THIN-FILMS  PLD TECHNIQUE  GROWTH  SAPPHIRE  TEMPERATURE