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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2009    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The structure, morphology and Raman scattering study on Mn-implanted nonpolar a-plane GaN films 期刊论文 materials science and engineering b-advanced functional solid-state materials, 2009, 卷号: 162, 期号: 3, 页码: 209-212 Sun LL; Yan FW; Zhang HX; Wang JX; Zeng YP; Wang GH; Li JM 收藏  |  浏览/下载：92/1  |  提交时间：2010/03/08 Ion implantation  Metal organic chemical vapour deposition (MOCVD)  Diluted magnetic semiconductor (DMS)  Nonpolar a-plane GaN   Growth behavior of AlInGaN films 期刊论文 journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 3, 页码: 474-477 Shang JZ; Zhang BP; Mao MH; Cai LE; Zhang JY; Fang ZL; Liu BL; Yu JZ; Wang QM; Kusakabe K; Ohkawa K 收藏  |  浏览/下载：217/66  |  提交时间：2010/03/08 Scanning electron microscope  Strain  X-ray diffraction  AlInGaN   The field emission properties of nonpolar a-plane n-type GaN films grown on nano-patterned sapphire substrates 期刊论文 physica status solidi a-applications and materials science, 2009, 卷号: 206, 期号: 7, 页码: 1501-1503 Sun LL; Yan FW; Wang JX; Zhang HX; Zeng YP; Wang GH; Li JM 收藏  |  浏览/下载：55/1  |  提交时间：2010/03/08 ELECTRON-AFFINITY   An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application 期刊论文 solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335 作者:  Zhang ML;  Hou QF 收藏  |  浏览/下载：129/30  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN/AlN/GaN  HEMT  MOCVD  SiC substrate  Power device