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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2009    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD 会议论文 international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007 Sun, GS; Zhao, YM; Wang, L; Wang, L; Zhao, WS; Liu, XF; Ji, G; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/03/09 in-situ doping  boron  aluminum  memory effects  hot-wall LPCVD  4H-SiC   Growth of (10(1)over-bar(3)over-bar) semipolar GaN on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 17, 页码: 4153-4157 作者:  Wei TB;  Wei XC;  Duan RF 收藏  |  浏览/下载：84/6  |  提交时间：2010/03/08 HRXRD  PL  Stacking fault  HVPE  GaN  Semipolar   Binding Energy and Spin-Orbit Splitting of a Hydrogenic Donor Impurity in AlGaN/GaN Triangle-Shaped Potential Quantum Well 期刊论文 nanoscale research letters, 2009, 卷号: 4, 期号: 11, 页码: 1315-1318 Wang J (Wang Jun); Li SS (Li Shu-Shen); Lu YW (Lue Yan-Wu); Liu XL (Liu Xiang-Lin); Yang SY (Yang Shao-Yan); Zhu QS (Zhu Qin-Sheng); Wang ZG (Wang Zhan-Guo) 收藏  |  浏览/下载：277/95  |  提交时间：2010/03/08 Binding energy   Determination of MgO/AlN heterojunction band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy (vol 94, 052101, 2009) 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 12, 页码: art. no. 129901 作者:  Wei HY;  Song HP;  Jiao CM 收藏  |  浏览/下载：380/108  |  提交时间：2010/03/08 aluminium compounds  core levels  III-V semiconductors  magnesium compounds  semiconductor heterojunctions  semiconductor-insulator boundaries  X-ray photoelectron spectra   Transport properties in a gated heterostructure with a trapezoidal AlxGa1-xAs barrier layer 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2009, 卷号: 41, 期号: 8, 页码: 1379-1381 作者:  Liu J;  Zhu H 收藏  |  浏览/下载：74/2  |  提交时间：2010/03/08 HEMT  2DEG   Stress and resistivity controls on in situ boron doped LPCVD polysilicon films for high-Q MEMS applications 期刊论文 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 34-38 Xie Jing; Liu Yunfei; Yang Jinling; Tang Longjuan; Yang Fuhua 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/23 厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响 期刊论文 物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420 作者:  刘斌;  陈涌海 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/23 InP-base resonant tunneling diodes 期刊论文 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 6, 页码: 48-50 作者:  Zhang Yang 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/23 Temperature dependent spectral response characteristic of III-V compound tandem cell 期刊论文 chinese science bulletin, 2009, 卷号: 54, 期号: 3, 页码: 353-357 作者:  Wang Y 收藏  |  浏览/下载：411/35  |  提交时间：2010/03/08 spectral response  tandem cell  temperature coefficient   Influence of zinc phthalocyanines on photoelectrical properties of hydrogenated amorphous silicon 期刊论文 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 39-42 作者:  Peng Wenbo;  Liu Shiyong 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/23