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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2009    学科主题：半导体材料    内容类型：期刊论文    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Transport properties in a gated heterostructure with a trapezoidal AlxGa1-xAs barrier layer 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2009, 卷号: 41, 期号: 8, 页码: 1379-1381 作者:  Liu J;  Zhu H 收藏  |  浏览/下载：74/2  |  提交时间：2010/03/08 HEMT  2DEG   High efficiency passively Q-switched mode-locking Nd:GdVO4 laser with LT-In0.25Ga0.75As saturable absorber 期刊论文 optical materials, 2009, 卷号: 31, 期号: 8, 页码: 1215-1217 Pan SD; Zhao LN; Yuan Y; Zhu SN; He JL; Wang YG 收藏  |  浏览/下载：104/2  |  提交时间：2010/03/08 Semiconductor saturable absorber  Q-switch  Mode lock  Nd:GdVO4   An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application 期刊论文 solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335 作者:  Zhang ML;  Hou QF 收藏  |  浏览/下载：129/30  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN/AlN/GaN  HEMT  MOCVD  SiC substrate  Power device