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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2009 [4]
学科主题
光电子学 [4]
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发表日期:2009
学科主题:光电子学
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Kinetically controlled InN nucleation on GaN templates by metalorganic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 14, 页码: art. no. 145410
作者:
Zhang SM
;
Yang H
;
Yang H
;
Wang YT
;
Zhu JJ
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浏览/下载:72/0
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提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE EPITAXY
QUANTUM DOTS
BAND-GAP
GROWTH
SURFACES
The influence of growth temperature and input V/III ratio on the initial nucleation and material properties of InN on GaN by MOCVD
期刊论文
semiconductor science and technology, 2009, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: art. no. 055001
作者:
Yang H
;
Jiang DS
;
Zhao DG
;
Zhang SM
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:88/41
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提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ELECTRON-TRANSPORT
BAND-GAP
FILMS
SAPPHIRE
Strain-induced anodization of SiGe/Si multiple layers to form high density SiGe/Si heterogeneous nanorods
期刊论文
solid state communications, 2009, 卷号: 149, 期号: 43-44, 页码: 1897-1901
Zhou B
;
Pan SW
;
Chen R
;
Chen SY
;
Li C
;
Lai HK
;
Yu
;
JZ
;
Zhu XF
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/04/04
Strain-induced
Electrochemical anodization
Silicon germanium
Heterogeneous nanostructures
POROUS SILICON LAYER
VISIBLE PHOTOLUMINESCENCE
SURFACE-MORPHOLOGY
THIN-FILMS
SI
GERMANIUM
SUPERLATTICES
NANOCRYSTALS
RELAXATION
GROWTH
Zero biased Ge-on-Si photodetector with a bandwidth of 4.72 GHz at 1550 nm
期刊论文
chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 2542-2544
作者:
Xue CL
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浏览/下载:67/0
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提交时间:2010/03/08
Si-based
Ge
epitaxy
photodetector
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