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厦门大学 [2]
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [3]
学位论文 [1]
发表日期
2008 [4]
学科主题
半导体器件 [1]
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发表日期:2008
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Preliminary design of a tensile-strained p-type Si/SiGe quantum well infrared photodetector
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1088/0268-1242/23/3/035011, 2008
Jiang, Lin Gui
;
Kai, Lai Hong
;
Cheng, Li
;
Yan, Chen Song
;
Zhong, Yu Jin
;
李成
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2015/07/22
INTERSUBBAND ABSORPTION
DARK CURRENT
HOLE
BAND
DETECTOR
SEMICONDUCTORS
SUPERLATTICE
PERFORMANCE
TRANSITION
Preliminary design of a tensile-strained p-type si/sige quantum well infrared photodetector
期刊论文
Semiconductor science and technology, 2008, 卷号: 23, 期号: 3, 页码: 5
作者:
Jiang, Lin Gui
;
Kai, Lai Hong
;
Cheng, Li
;
Yan, Chen Song
;
Zhong, Yu Jin
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
正入射p型SiGe/Si量子阱红外探测器的研制
学位论文
2008, 2008
邓和清
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2016/02/14
锗硅量子阱
正入射红外探测器
DC-UHV/CVD
SiGe quantum well
normal incidence infrared detector
DC-UHV/CVD
Preliminary design of a tensile-strained p-type Si/SiGe quantum well infrared photodetector
期刊论文
semiconductor science and technology, 2008, 卷号: 23, 期号: 3, 页码: art. no. 035011
Jiang LG
;
Kai LH
;
Cheng L
;
Yan CS
;
Zhong YJ
收藏
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浏览/下载:72/3
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提交时间:2010/03/08
INTERSUBBAND ABSORPTION
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