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Influence of aln buffer thickness on gan grown on si(111) by gas source molecular beam epitaxy with ammonia 期刊论文
Chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: 4097-4100
作者:  Lin Guo-Qiang;  Zeng Yi-Ping;  Wang Xiao-Liang;  Liu Hong-Xin
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GSMBE生长的非均匀多纵模量子点激光器 期刊论文
半导体技术, 2008, 期号: 09
何焜; 龚谦; 李世国; 李健
收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2012/01/06
波长扩展InGaAs探测器的量子效率优化 期刊论文
半导体光电, 2008, 期号: 06
田招兵; 顾溢; 张晓钧; 张永刚
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带有阶梯缓变集电区的InP/InGaAs/InP DHBT材料研究 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2008, 期号: 01
艾立鹍; 徐安怀; 孙浩; 朱福英; 齐鸣
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InGaAs/InAlAs异质结的H_3PO_4/H_2O_2系的湿法腐蚀 期刊论文
功能材料与器件学报, 2008, 期号: 04
田招兵; 张永刚; 李爱珍; 顾溢
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Wavelength extended 2.4 mu m heterojunction InGaAs photodiodes with InAlAs cap and linearly graded buffer layers suitable for both front and back illuminations 期刊论文
INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2008, 卷号: 51, 期号: 4, 页码: 316-321
Zhang, YG(张永刚）; Gu, Y; Tian, ZB; Li, AZ; Zhu, XR; Zheng, YL
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Investigation of the extinction coefficient of PECVD hydrogenated amorphous silicon nitride films 期刊论文
JOURNAL OF MICROMECHANICS AND MICROENGINEERING, 2008, 卷号: 18, 期号: 8, 页码: 85001-85001
Yan, X; Feng, F; Yang, GL; Wang, YL
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2011/12/17
Assistance of A-plane sapphire substrate to the growth of single-walled carbon nanotubes 期刊论文
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 2008, 卷号: 40, 期号: 4, 页码: 731-735
Rao, FB; Li, T; Wang, YL
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Microstructural study of MBE-grown ZnO film on GaN/sapphire (0001) substrate 期刊论文
CENTRAL EUROPEAN JOURNAL OF PHYSICS, 2008, 卷号: 6, 期号: 3, 页码: 638-642
Li, H; Sang, JP; Liu, C; Lu, HB; Cao, JC
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新型结构HBT设计与材料生长研究 学位论文
博士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2008
艾立鹍
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