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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2008 [2]
学科主题
半导体化学 [1]
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发表日期:2008
专题:半导体研究所
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Annihilation of deep level defects in inp through high temperature annealing
期刊论文
Journal of physics and chemistry of solids, 2008, 卷号: 69, 期号: 2-3, 页码: 551-554
作者:
Zhao, Y. W.
;
Dong, Z. Y.
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提交时间:2019/05/12
Defect
Annihilation of deep level defects in InP through high temperature annealing
期刊论文
journal of physics and chemistry of solids, 2008, 卷号: 69, 期号: 39847, 页码: 551-554
Zhao, YW
;
Dong, ZY
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提交时间:2010/03/08
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