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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2008    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The influence of 1 nm AlN interlayer on properties of the Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN HEMT structure 期刊论文 microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 777-781 Guo, LC; Wang, XL; Wang, CM; Mao, HL; Ran, JX; Luo, WJ; Wang, XY; Wang, BZ; Fang, CB; Hu, GX 收藏  |  浏览/下载：94/1  |  提交时间：2010/03/08 GaN  HEMT  2DEG  mobility  polarization   Spin precession induced by an effective magnetic field in a two-dimensional electron gas 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 23, 页码: art. no. 233108 作者:  Jia CH 收藏  |  浏览/下载：259/47  |  提交时间：2010/03/08 quantum wells  spin polarised transport  spin-orbit interactions  two-dimensional electron gas