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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2008    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Fabrication and excitation-power-density-dependent micro-photoluminescence of hexagonal nanopillars with a single ingaas/gaas quantum well 期刊论文 Nanotechnology, 2008, 卷号: 19, 期号: 27, 页码: 7 作者:  Yang, L.;  Motohisa, J.;  Tomioka, K.;  Takeda, J.;  Fukui, T. 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Low-Temperature Growth of ZnO Films on GaAs by Metal Organic Chemical Vapor Deposition 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 1, 页码: 12-16 Shi Huiling; Ma Xiaoyu; Hu Like; Chong Feng 收藏  |  浏览/下载：126/23  |  提交时间：2010/11/23 Fabrication and excitation-power-density-dependent micro-photoluminescence of hexagonal nanopillars with a single InGaAs/GaAs quantum well 期刊论文 nanotechnology, 2008, 卷号: 19, 期号: 27, 页码: art. no. 275304 Yang, L; Motohisa, J; Tomioka, K; Takeda, J; Fukui, T; Geng, MM; Jia, LX; Zhang, L; Liu, YL 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/03/08 INTERNAL ELECTRIC-FIELDS  OPTICAL-PROPERTIES  EPITAXIAL-GROWTH  BUILDING-BLOCKS  (111)B SURFACES  NANOWIRES  INTENSITY  DEVICES  GAAS