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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2008    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Ultrafast carrier dynamics in undoped and p-doped inas/gaas quantum dots characterized by pump-probe reflection measurements 期刊论文 Journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 8, 页码: 8 作者:  Liu, Hai-Ying;  Meng, Zi-Ming;  Dai, Qiao-Feng;  Wu, Li-Jun;  Guo, Qi 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 A new method to reduce the dark current of gan based schottky barrier ultraviolet photodetector 期刊论文 Acta physica sinica, 2008, 卷号: 57, 期号: 4, 页码: 2548-2553 作者:  Zhou, Mei;  Chang, Qing-Ying;  Zhao, De-Gang 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  Schottky structure  Ultraviolet photodetector  Dark current   Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode 会议论文 34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007 Wang, XH; Wang, XL; Xiao, HL; Feng, C; Wang, XY; Wang, BZ; Yang, CB; Wang, JX; Wang, CM; Ran, JX; Hu, GX; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/03/09 GAS SENSORS  HEMT STRUCTURES  MOBILITY  TEMPERATURE  TRANSISTORS  GROWTH  MOCVD  LAYER   Ultrafast carrier dynamics in undoped and p-doped InAs/GaAs quantum dots characterized by pump-probe reflection measurements 期刊论文 journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 8, 页码: art. no. 083121 Liu, HY; Meng, ZM; Dai, QF; Wu, LJ; Guo, Q; Hu, W; Liu, SH; Lan, S; Yang, T 收藏  |  浏览/下载：54/3  |  提交时间：2010/03/08 ENERGY RELAXATION  ELECTRON RELAXATION  CAPTURE  PHONON  INAS  GAAS  TEMPERATURE  DEPENDENCE  DENSITY  TIME   A new method to reduce the dark current of GaN based Schottky barrier ultraviolet photodetector 期刊论文 acta physica sinica, 2008, 卷号: 57, 期号: 4, 页码: 2548-2553 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：31/2  |  提交时间：2010/03/08 GaN