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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2008    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Wavelength extended 2.4 mu m heterojunction InGaAs photodiodes with InAlAs cap and linearly graded buffer layers suitable for both front and back illuminations 期刊论文 INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2008, 卷号: 51, 期号: 4, 页码: 316-321 Zhang, YG(张永刚）; Gu, Y; Tian, ZB; Li, AZ; Zhu, XR; Zheng, YL 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/03/24 VAPOR-PHASE EPITAXY  GAS-SOURCE MBE  DARK CURRENT  PHOTODETECTORS  DETECTORS  MOCVD   Gas source MBE-grown metamorphic InGaAs photodetectors using InAlAs buffer and cap layers with cut-off wavelength up to 2.7 mu m 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 2292-2295 Tian, ZB; Gu, Y; Wang, K; Zhang, YG(张永刚） 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/03/24 2.6 MU-M  PHOTODIODES  CAMERA   Properties of gas source molecular beam epitaxy grown wavelength extended InGaAs photodetector structures on a linear graded InAlAs buffer 期刊论文 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2008, 卷号: 23, 期号: 12, 页码: 125029-125029 Zhang, YG(张永刚）; Gu, Y; Wang, K; Li, AZ; Li, C 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/24 VAPOR-PHASE EPITAXY  PHOTODIODES  LAYERS  GAAS  EFFICIENCY  CUTOFF   Wavelength extended 2.4 mu m heterojunction InGaAs photodiodes with InAlAs cap and linearly graded buffer layers suitable for both front and back illuminations 期刊论文 INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2008, 卷号: 51, 期号: 4, 页码: 316-321 Zhang, YG; Gu, Y; Tian, ZB; Li, AZ; Zhu, XR; Zheng, YL 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/05/10 Instruments & Instrumentation  Physics  Optics  Applied   Real-time study of gamma irradiation on Hg1-x Cd-x Te focal plane photodiodes 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2008, 卷号: 57, 期号: 11 Pages, 页码: 7088-7093 Qiao, H; Liao, Y; Hu, WD; Deng, Y; Yuan, YG; Zhang, QY; Li, XY; Gong, HM 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/05/12