QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2008    学科主题：Physics, Multidisciplinary    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High-speed InGaAs/InP double heterostructure bipolar transistor with high breakdown voltage 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 2683-2685 Jin, Z; Su, YB; Cheng, W; Liu, XY; Xu, AH; Qi, M 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/03/24 Properties of strain compensated symmetrical triangular quantum wells composed of InGaAs/InAs chirped superlattice grown using gas source molecular beam epitaxy 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 726-729 Gu, Y; Zhang, YG(张永刚） 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/03/24 2.1 MU-M  TEMPERATURE-DEPENDENCE  LASERS  PHOTOLUMINESCENCE  WAVELENGTH  HETEROSTRUCTURE