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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2008    学科主题：半导体物理    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Enhanced electroluminescence intensity of InGaN/GaN multi-quantum-wells based on Mg-doped GaN annealed in O-2 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 10, 页码: art. no. 102112 Ma, P; Gai, YQ; Wang, JX; Yang, FH; Zeng, YP; Li, JM; Li, JB 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/03/08 P-TYPE GAN  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  AUGMENTED-WAVE METHOD  VAPOR-PHASE EPITAXY  ELECTRICAL-PROPERTIES  OXYGEN  ACTIVATION  SILICON   First-principle study of native defects in CuScO2 and CuYO2 期刊论文 chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 11, 页码: 4279-4284 Fang, ZJ; Shi, LJ; Liu, YH 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/03/08 CuMO2  native defects  vienna ab-initio simulation package (VASP)   Transmission properties of electron in quantum rings 期刊论文 journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 6, 页码: art. no. 063723 Li, CL; Yang, FH; Feng, SL; Wang, XM 收藏  |  浏览/下载：109/1  |  提交时间：2010/03/08 PERSISTENT CURRENTS  ENERGY  STATES  WELL  FLUX