QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2008    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Enhancement of field emission properties in La-doped ZnO films prepared by magnetron sputtering 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 7, 页码: 2657-2660 Li, J; Wang, RZ; Lan, W; Zhang, XW; Duan, ZQ; Wang, B; Yan, H 收藏  |  浏览/下载：53/2  |  提交时间：2010/03/08 CVD DIAMOND FILMS  WORK FUNCTION  PHOTOCATALYTIC ACTIVITY  AQUEOUS SUSPENSION  THIN-FILMS  DEGRADATION  MICROSCOPY   The effects of substrate temperature on the structure and properties of ZnO films prepared by pulsed laser deposition 期刊论文 vacuum, 2008, 卷号: 82, 期号: 5, 页码: 495-500 Zhu, BL; Sun, XH; Zha, XZ; Su, FH; Li, GH; Wu, XG; Wu, J; Wu, R; Liu, J 收藏  |  浏览/下载：46/1  |  提交时间：2010/03/08 PLD  ZnO films  substrate temperature  crystal quality  grain size  optical properties   Growth of 0.55eV-GaInAsSb Quaternary Alloy Films for a Thermophotovoltaic Device by Liquid Phase Epitaxy 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 1258-1262 作者:  Yang Xiaoli;  Wang Yu 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/23 Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC Films on Maskless Patterned Silicon Substrates 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 1254-1257 作者:  Liu Xingfang;  Ning Jin;  Zhao Yongmei 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23 High epitaxial growth rate of 4H-SiC using TCS as silicon precursor 会议论文 9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008 Ji, G; Sun, GS; Ning, J; Liu, XF; Zhao, YM; Wang, L; Zhao, WS; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/03/09 Effect of Nitridation on Morphology, Structural Properties and Stress of AIN Films 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 12, 页码: 4364-4367 作者:  Wei HY;  Jiao CM 收藏  |  浏览/下载：179/45  |  提交时间：2010/03/08 TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY  WURTZITE-TYPE CRYSTALS  VAPOR-PHASE EPITAXY  INTRINSIC STRESS  SAPPHIRE SURFACE  THIN-FILMS  GAN  GROWTH  DIFFRACTION  MECHANISM