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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2008    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The influence of 1 nm AlN interlayer on properties of the Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN HEMT structure 期刊论文 microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 777-781 Guo, LC; Wang, XL; Wang, CM; Mao, HL; Ran, JX; Luo, WJ; Wang, XY; Wang, BZ; Fang, CB; Hu, GX 收藏  |  浏览/下载：94/1  |  提交时间：2010/03/08 GaN  HEMT  2DEG  mobility  polarization   Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode 会议论文 34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007 Wang, XH; Wang, XL; Xiao, HL; Feng, C; Wang, XY; Wang, BZ; Yang, CB; Wang, JX; Wang, CM; Ran, JX; Hu, GX; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/03/09 GAS SENSORS  HEMT STRUCTURES  MOBILITY  TEMPERATURE  TRANSISTORS  GROWTH  MOCVD  LAYER   解理面预处理方法对二次外延的影响 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 3, 页码: 544-548 作者:  陈涌海;  徐波 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2010/11/23 In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱中的正磁电阻效应 期刊论文 物理学报, 2008, 卷号: 57, 期号: 8, 页码: 5232-5236 商丽燕; 林铁; 周文政; 李东临; 高宏玲; 曾一平; 郭少令; 俞国林; 褚君浩 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23 AlGaN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs structure with an AlN interlayer grown by MOCVD 会议论文 34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007 Tang, J; Wang, XL; Xiao, HL; Ran, JX; Wang, CM; Wang, XY; Hu, GX; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/03/09 PERFORMANCE  HETEROSTRUCTURES  OPTIMIZATION  MOBILITY   高温退火处理提高半绝缘VGF-GaAs单晶的电学性能 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1770-1774 占荣; 赵有文; 于会永; 高永亮; 惠峰 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23