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全自对准条型栅功率垂直双扩散场效应晶体管的制作方法 专利
专利号: CN101399227, 申请日期: 2007-09-26, 公开日期: 2009-04-01, 2010-11-26
作者:  王立新
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一种纳米尺度W/TiN复合难熔金属栅制备方法 专利
专利号: CN101217112, 申请日期: 2007-01-04, 公开日期: 2008-07-09, 2010-11-26
作者:  李瑞钊;  徐秋霞
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