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科研机构
微电子研究所 [9]
内容类型
外文期刊 [9]
发表日期
2007 [9]
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发表日期:2007
内容类型:外文期刊
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Analysis by using X-ray photoelectron spectroscopy for polymethyl methacrylate and polytetrafluoroethylene etched by KrF excimer laser
外文期刊
2007
作者:
Zhu, XL
;
Liu, SB
;
Man, BY
;
Xie, CQ
;
Chen, DP
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/26
Ablation
Irradiation
Analyzing conductance of mixed carbon-nanotube bundles for interconnect applications'
外文期刊
2007
作者:
Haruehanroengra, S
;
Wang, W
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/26
Single-wall
Resistance
Buffer influence on AlSb/InAs/AlSb quantum wells
外文期刊
2007
作者:
Li, ZH
;
Wang, WX
;
Liu, LS
;
Gao, HC
;
Jiang, ZW
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/26
X-ray-diffraction
Inas
Alsb
Heterostructures
Relaxation
Densities
Devices
Fabrication and characterization of single electron transistor on SOI
外文期刊
2007
作者:
Wang, Q
;
Chen, YF
;
Long, SB
;
Niu, JB
;
Wang, CS
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/26
Room-temperature
Memory
Low-cost and highly manufacturable strained-Si channel technique for strong hole mobility enhancement on 35-nm gate length pMOSFETs
外文期刊
2007
作者:
Xu, QX
;
Duan, XF
;
Liu, HH
;
Han, ZS
;
Ye, TC
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/26
Ordered InAs quantum dots with controllable periods grown on stripe-patterned GaAs substrates
外文期刊
2007
作者:
Ren, YY
;
Xu, B
;
Wang, ZG
;
Liu-Ming
;
Long, SB
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/26
Ge Islands
Transition
Quasi-SOI MOSFETs - A promising bulk device candidate for extremely scaled era
外文期刊
2007
作者:
Tian, Y
;
Xiao, H
;
Huang, R
;
Feng, C
;
Chan, M
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/26
Cmos Devices
Structure optimization of field-plate AlGaN/GaN HEMTs
外文期刊
2007
作者:
Luo, WJ
;
Wei, K
;
Chen, XJ
;
Li, CZ
;
Liu, XY
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/26
Surface-induced large side-gating phenomenon in GaAs quantum wire transistors and its removal by surface passivation using Si interface control layer
外文期刊
2007
作者:
Jia, R
;
Kasai, S
;
Wang, Q
;
Long, SB
;
Bin Niu, J
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/26
Level Transient Spectroscopy
Field-effect Transistors
Wrap-gate Control
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