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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2007    学科主题：半导体材料    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 MOCVD-grown high-mobility Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN HEMT structure on sapphire substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2007, 卷号: 298 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 791-793 Wang XL (Wang Xiaoliang); Wang CM (Wang Cuimei); Hu GX (Hu Guoxin); Mao HL (Mao Hongling); Fang CB (Fang Cebao); Wang JX (Wang Junxi); Ran JX (Ran Junxue); Li HP (Li Hanping); Li JM (Li Jinmin); Wang ZG (Wang, Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/03/29 2DEG   Room-temperature spin-oriented photocurrent under near-infrared irradiation and comparison of optical means with Shubnikov de-Haas measurements in AlXGa1-XN/GaN heterostructures 期刊论文 applied physics letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 7, 页码: art.no.071920 Tang YQ; Shen B; He XW; Han K; Tang N; Chen WH; Yang ZJ; Zhang GY; Chen YH; Tang CG; Wang ZG; Cho KS; Chen YF 收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2010/03/29 POLARIZATION   Pseudospin in Si delta-doped InAlAs/InGaAs/InAlAs single quantum well 期刊论文 solid state communications, 2007, 卷号: 142, 期号: 7, 页码: 393-397 Zhou WZ; Huang ZM; Qiu ZJ; Lin T; Shang LY; Li DL; Gao HL; Cui LJ; Zeng YP; Guo SL; Gui YS; Dai N; Chu JH 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/03/29 quantum wells