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| 减小相变存储器加热电极面积的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1870314, 申请日期: 2006-11-29, 公开日期: 2006-11-29 吴良才; 宋志棠; 刘波; 冯高明; 封松林
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| 用电子束曝光和化学机械抛光工艺制备纳电子存储器的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1866496, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2006-11-22 宋志棠; 刘奇斌; 张楷亮; 封松林; 陈邦明
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| 用硅湿法刻蚀和键合工艺制备相变存储器的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1858922, 申请日期: 2006-11-08, 公开日期: 2006-11-08 宋志棠; 刘奇斌; 封松林
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| 一种基于聚合物基底的凸起电极、制作方法及应用 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1852634, 申请日期: 2006-10-25, 公开日期: 2006-10-25 杨梦苏; 周洪波; 李刚; 金庆辉; 赵建龙
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| 相变薄膜场效应晶体管单元器件及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1845339, 申请日期: 2006-10-11, 公开日期: 2006-10-11 张挺; 宋志棠; 冯高明; 刘波; 封松林; 陈邦明
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| 提高印刷法制备碳纳米管薄膜场致电子发射性能的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1808670, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2006-07-26 冯涛; 王曦; 戴丽娟; 蒋军; 柳襄怀
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| 采用硫系化合物纳米材料制备相变存储器器件单元的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1801501, 申请日期: 2006-07-12, 公开日期: 2006-07-12 刘波; 宋志棠; 封松林
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| 一种实现碳纳米管薄膜阴极图形化场致发射显示的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN1790589, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2006-06-21 冯涛; 戴丽娟; 蒋军; 王曦; 张正选
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| 新型薄膜铜铟硒(CuInSe2)太阳电池的制备与性能研究 学位论文 硕士, 上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2006 张晓科
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| 基于MEMS技术的光纤声传感器技术研究 学位论文 硕士, 上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2006 许晓昕
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