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离子束增强沉积法制备二氧化铪薄膜 期刊论文
半导体技术, 2006, 期号: 03
陶凯; 俞跃辉; 郑智宏; 邹世昌
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带有A1N插入层的GaN薄膜的结构及应变研究 期刊论文
原子能科学技术, 2006, 卷号: 40, 期号: 5, 页码: 614-619
作者:  赵强
收藏  |  浏览/下载:35/0  |  提交时间:2010/11/23
蓝宝石衬底上单晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生长 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 1382-1385
作者:  王晓燕;  肖红领;  王保柱
收藏  |  浏览/下载:20/0  |  提交时间:2010/11/23


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