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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2006    内容类型：会议论文    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth of high quality semi-insulating InP single crystal by suppression of compensation defects 会议论文 3rd asian conference on crystal growth and crystal technology (cgct-3), beijing, peoples r china, oct 16-19, 2005 Zhao, YW; Dong, ZY; Duan, ML; Sun, WR; Yang, ZX 收藏  |  浏览/下载：202/19  |  提交时间：2010/03/29 indium phosphide   The difference of Si doping efficiency in GaN and AlGaN in GaN-based HBT structure 会议论文 32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005 Ran, JX; Wang, XL; Hu, GX; Li, JP; Wang, JX; Wang, CM; Zeng, YP; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：167/71  |  提交时间：2010/03/29 ALN  IMPURITIES  DONOR   Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature 会议论文 11th conference on defects recognition imaging and physics in semiconductors, beijing, peoples r china, sep 13-19, 2005 Zhao, YW (Zhao, Y. W.); Dong, ZY (Dong, Z. Y.); Deng, AH (Deng, A. H.) 收藏  |  浏览/下载：158/28  |  提交时间：2010/03/29 indium phosphide