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科研机构
半导体研究所 [1]
内容类型
会议论文 [1]
发表日期
2006 [1]
学科主题
半导体物理 [1]
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发表日期:2006
学科主题:半导体物理
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1.3 mu m high indium content (42.5%) GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy
会议论文
32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005
Niu, ZC
;
Zhang, SY
;
Ni, HQ
;
Wu, DH
;
He, ZH
;
Sun, Z
;
Han, Q
;
Wu, RG
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提交时间:2010/03/29
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