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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2006    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Deep level transient spectroscopy studies of Er and Pr implanted GaN films 期刊论文 acta physica sinica, 2006, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 1407-1412 Song SF; Chen WD; Xu ZJ; Xu XR 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/04/11 GaN  Er  Pr-implautation  deep level transient spectroscopy  N-TYPE GAN  DEFECTS  EPITAXY  TRAPS   Interdot interaction induced zero-bias maximum of the differential conductance in parallel double quantum dots 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 4, 页码: art.no.043705 Chi F; Li SS 收藏  |  浏览/下载：94/0  |  提交时间：2010/04/11 AHARONOV-BOHM INTERFEROMETER  SINGLE-ELECTRON TRANSISTOR  COULOMB-BLOCKADE  ANDERSON MODEL  MAGNETIC-FLUX  KONDO REGIME  TRANSPORT  EQUILIBRIUM  DEVICES   Luminescence temperature and pressure studies of Zn2SiO4 phosphors doped with Mn2+ and Eu3+ ions 期刊论文 journal of luminescence, 2006, 卷号: 116, 期号: 1-2, 页码: 117-126 Su FH; Ma BS; Ding K; Li GH; Wang SP; Chen W; Joly AG; McCready DE 收藏  |  浏览/下载：223/127  |  提交时间：2010/03/17 Zn2SiO4