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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2006    学科主题：半导体物理    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of growth parameters of frequency-radio plasma nitrogen source on extending emission wavelengths from 1.31 mu m to 1.55 mu m GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular-beam epitaxy 期刊论文 chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 1005-1008 作者:  Yang XH 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/04/11 LASERS  TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE   Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 288, 期号: 1, 页码: 40529 作者:  Wu DH;  Niu ZC;  Jiang DS;  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：81/0  |  提交时间：2010/04/11 molecular beam epitaxy  quantum wells  semiconducting III-V materials  MU-M  LASERS  TEMPERATURE  SURFACTANT  NM