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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：2006    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A complex Fourier transformation study of the contactless electroreflectance of an undoped-n(+) GaAs structure 期刊论文 semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 6, 页码: 786-789 作者:  Jin P 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/04/11 DELTA-DOPED GAAS  FRANZ-KELDYSH OSCILLATIONS  BUILT-IN FIELD  FERMI-LEVEL  PHOTOREFLECTANCE  SURFACE  SPECTROSCOPY   Porous ZnAl2O4 spinel nanorods doped with Eu3+: synthesis and photoluminescence 期刊论文 nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 12, 页码: 2982-2987 Cheng BC; Qu SC; Zhou HY; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：118/0  |  提交时间：2010/04/11 SPRAY-PYROLYSIS TECHNIQUE  SOL-GEL PROCESS  ZINC ALUMINATE  OPTICAL-PROPERTIES  CATHODOLUMINESCENT CHARACTERISTICS  HYDROTHERMAL SYNTHESIS  NANOCRYSTALLINE  COMBUSTION  SPECTRA  METHANE   Strong in-plane optical anisotropy of asymmetric (001) quantum wells 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 9, 页码: art.no.096102 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/04/11 HETEROSTRUCTURES  SPECTROSCOPY  INTERFACES   Raman scattering detection of stacking faults in free-standing cubic-SiC epilayer 期刊论文 chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 10, 页码: 2834-2837 Liu XF (Liu Xing-Fang); Sun GS (Sun Guo-Sheng); Li JM (Li Jin-Min); Zhao YM (Zhao Yong-Mei); Li JY (Li Jia-Ye); Wang L (Wang Lei); Zhao WS (Zhao Wan-Shun); Zeng YP (Zeng Yi-Ping) 收藏  |  浏览/下载：75/0  |  提交时间：2010/04/11 SPECTROSCOPY  GROWTH  POLYTYPES  SILICON   Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD 期刊论文 journal of rare earths, 2006, 卷号: 24, 期号: sp.iss.si, 页码: 14-18 Fang CB; Wang XL; Hu GX; Wang JX; Wang CM; Li JM 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/04/11 MOCVD  GaN  resistivity  TSC  N-TYPE GAN  DOPED GAN  SPECTROSCOPY  CARBON  FE   Electron resonant tunneling through InAs/GaAs quantum dots embedded in a Schottky diode with an AlAs insertion layer 期刊论文 journal of the electrochemical society, 2006, 卷号: 153, 期号: 7, 页码: g703-g706 作者:  Ye XL;  Xu B;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：90/0  |  提交时间：2010/04/11 GAAS  SPECTROSCOPY  PARAMETERS  TRANSPORT  LASERS  ENERGY  STATES  HOLE   Electron irradiation-induced defects in InP pre-annealed at high temperature 期刊论文 materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 380-383 Zhao YW (Zhao Y. W.); Dong ZY (Dong Z. Y.); Deng AH (Deng A. H.) 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/04/11 indium phosphide  defect  irradiation  THERMALLY STIMULATED CURRENT  UNDOPED SEMIINSULATING INP  DEEP-LEVEL DEFECTS  FRENKEL PAIRS  FE  SPECTROSCOPY  PHOSPHIDE  AMBIENT  TRAPS