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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2006    学科主题：力学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Thermoelastic Stresses in SiC Single Crystals Grown by the Physical Vapor Transport Method 期刊论文 Acta Mechanica Sinica, 2006, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 40-45 作者:  Zhang ZB(张自兵);  Lu J;  Chen QS(陈启生);  Prasad V 收藏  |  浏览/下载：1199/111  |  提交时间：2007/06/15 微米尺度结构最大抗扭强度的在线测试和研究 期刊论文 物理学报=Acta Physica Sinica, 2006, 卷号: 55, 期号: 5, 页码: 2234-2240 作者:  阮勇;  郇勇;  张泰华;  张大成;  王阳元 收藏  |  浏览/下载：1481/146  |  提交时间：2007/06/15 Growth of Silicon Carbide Bulk Crystals by Physical Vapor Transport Method and Modeling Efforts in the Process Optimization 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 2006, 卷号: 292, 期号: 2, 页码: 197-200 作者:  Chen QS(陈启生);  Lu J;  Zhang ZB(张自兵);  Wei GD;  Prasad V 收藏  |  浏览/下载：1357/78  |  提交时间：2007/06/15 growth models  X-ray diffraction  growth from vapor  single crystal growth  silicon carbide   Growth of ZnO Nanotetrapods with Hexagonal Crown 期刊论文 Applied Physics Letters, 2006, 卷号: 88, 页码: 193113 作者:  He FQ(何发泉);  Zhao YP(赵亚溥) 收藏  |  浏览/下载：1633/265  |  提交时间：2007/06/15 Numerical Simulation of the Flow Field and Concentration Distribution in the Bulk Growth of Silicon Carbide Crystals 期刊论文 Journal of Crystal Growth, 2006, 卷号: 292, 期号: 2, 页码: 519-522 作者:  Lu J;  Zhang ZB(张自兵);  Chen QS(陈启生) 收藏  |  浏览/下载：1237/82  |  提交时间：2007/06/15 computer simulation  growth model  mass transfer  growth from vapor  seed crystals  semiconducting silicon compounds