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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2006 [3]
学科主题
光电子学 [3]
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发表日期:2006
学科主题:光电子学
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Influence of cracks generation on the structural and optical properties of GaN/Al0.55Ga0.45N multiple quantum wells
期刊论文
applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 8, 页码: 3043-3050
作者:
Zhang SM
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浏览/下载:83/0
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提交时间:2010/04/11
nitrides
multiple quantum wells
cracks
dislocations
vacancies x-ray diffraction
X-RAY-DIFFRACTION
EDGE DISLOCATIONS
GAN
FILMS
SUPERLATTICES
RELAXATION
STRAIN
Probing deep level centers in GaN epilayers with variable-frequency capacitance-voltage characteristics of Au/GaN Schottky contacts
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 14, 页码: art.no.143505
Wang RX (Wang R. X.)
;
Xu SJ (Xu S. J.)
;
Shi SL (Shi S. L.)
;
Beling CD (Beling C. D.)
;
Fung S (Fung S.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Tao XM (Tao X. M.)
收藏
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/04/11
DISLOCATIONS
DEGRADATION
Comparison between double crystals X-ray diffraction micro-Raman measurement on composition determination of high Ge content Si1_xGex layer epitaxied on Si substrate
期刊论文
journal of materials science & technology, 2006, 卷号: 22, 期号: 5, 页码: 651-654
Zhao L (Zhao Lei)
;
Zuo YH (Zuo Yuhua)
;
Cheng BW (Cheng Buwen)
;
Yu JZ (Yu Jinzhong)
;
Wang QM (Wang Qiming)
收藏
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浏览/下载:38/0
  |  
提交时间:2010/04/11
Si1_xGex
Ge content
composition determination
double crystals X-ray diffraction (DCXRD)
micro-Raman measurement
BAND-GAP
HETEROSTRUCTURES
SUPERLATTICES
ALLOYS
RELAXATION
SCATTERING
THICKNESS
STRAIN
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