QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2005     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A novel nanoscaled device concept: Quasi-SOI MOSFET to eliminate the potential weaknesses of UTB SOI MOSFET 期刊论文 ieee电子器件汇刊, 2005 Tian, Y; Huang, R; Zhang, X; Wang, YY 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/10 MOSFET  parasitic capacitance  quasi-silicon-on-insulator (SOI)  short-channel effect (SCE)  ultrathin body (UTB)   Scaling of lowered source/drain (LSD) and raised source/drain (RSD) ultra-thin body (UTB) SOI MOSFETs 期刊论文 固体电子学, 2005 An, X; Huang, R; Zhang, X; Wang, YY 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/12 ultra-thin body  raised source/drain (RSD)  lowered source/drain (LSD)  short-channel effect (SCE)  drain-induced-barrier-lowering (DIBL) effect  intrinsic delay  parasitic capacitance  scaling  PMOSFETS   Evaluations of scaling properties for Ge on insulator MOSFETs in nano-scale 其他 2005-01-01 Du, G; Liu, XY; Xia, ZL; Wang, YK; Hou, DQ; Kang, JF; Han, RQ 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 germanium MOSFET  nano-scale  scaling properties  Monte Carlo  MONTE-CARLO-SIMULATION  SEMICONDUCTORS  TRANSPORT