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High temperature operation of 5.5 mu m strain-compensated quantum cascaded lasers 期刊论文
Chinese physics letters, 2005, 卷号: 22, 期号: 12, 页码: 3077-3079
作者:  Lu, XZ;  Liu, FQ;  Liu, JQ;  Jin, P;  Wang, ZG
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Interband and intraband photocurrent of self-assembled inas/inalas/inp nanostructures 期刊论文
Nanotechnology, 2005, 卷号: 16, 期号: 12, 页码: 2785-2789
作者:  Lei, W;  Chen, YH;  Xu, B;  Jin, P;  Zhao, C
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半导体激光器及其制造工艺 专利
专利号: CN1697271A, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2005-11-16
作者:  奥田哲朗
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半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利号: JP3718129B2, 申请日期: 2005-09-09, 公开日期: 2005-11-16
作者:  長島 靖明;  篠根 克典;  菊川 知之
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半導体レーザ装置 专利
专利号: JP2005217010A, 申请日期: 2005-08-11, 公开日期: 2005-08-11
作者:  ▼高▲木 和久
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プレーナ電極型半導体光素子及びその製造方法 专利
专利号: JP3695812B2, 申请日期: 2005-07-08, 公开日期: 2005-09-14
作者:  山田 光志;  村井 仁;  国井 達夫
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リッジ型分布帰還半導体レーザ 专利
专利号: JP2005166998A, 申请日期: 2005-06-23, 公开日期: 2005-06-23
作者:  ▼たか▲木 和久;  白井 聡;  青柳 利隆;  立岡 靖晃;  綿谷 力
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电吸收调制分布反馈半导体激光器件的制作方法 专利
专利号: CN1630149A, 申请日期: 2005-06-22, 公开日期: 2005-06-22
作者:  胡小华;  李宝霞;  朱洪亮;  王圩
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Semiconductor laser device, semiconductor laser module, Raman amplifier using the device or module, and method for forming a suitable current blocking layer 专利
专利号: US6898228, 申请日期: 2005-05-24, 公开日期: 2005-05-24
作者:  IRINO, SATOSHI;  TSUKIJI, NAOKI;  YOSHIDA, JUNJI
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可視光半導体レーザ 专利
专利号: JP3674139B2, 申请日期: 2005-05-13, 公开日期: 2005-07-20
作者:  山本 直
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