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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2005     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Monte Carlo simulation of p- and n-channel GOI MOSFETs by solving the quantum Boltzmann equation 期刊论文 ieee电子器件汇刊, 2005 Du, G; Liu, XY; Xia, ZL; Kang, JF; Wang, Y; Han, RQ; Yu, HY; Kwong, DL 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/10 Ge-on-insulator (GOI)  Monte Carlo (MC) simulation  MOSFET  IMPACT-IONIZATION MODEL  ELECTRON-TRANSPORT  SEMICONDUCTORS  DEVICES  SI