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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2005     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Structural and optical properties of inas/in0.52al0.48as self-assembled quantum wires on inp(001) 期刊论文 Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 284, 期号: 3-4, 页码: 306-312 作者:  Wang, YL;  Chen, YH;  Wu, J;  Lei, W;  Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 High-resolution transmission electron microscopy  Nananostructures  Optical properties  Inas quantum wire  Molecular beam epitaxy  Semiconductiong iii-v materials   Influence of rapid thermal annealing on inas/inalas/inp quantum wires with different inas deposited thickness 期刊论文 Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 284, 期号: 1-2, 页码: 20-27 作者:  Lei, W;  Chen, YH;  Wang, YL;  Xu, B;  Ye, XL 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Annealing  Dislocations  Photoluminescence  Molecular beam epitaxy  Quantum wires  Semiconducting iii-v material   Self-organized superlattices along the [001] growth direction in in0.52al0.48as layers grown on nominally (001) inp substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文 Superlattices and microstructures, 2005, 卷号: 38, 期号: 3, 页码: 151-160 作者:  Wang, YL;  Chen, YH;  Wu, J;  Wang, ZG;  Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Composition modulation  Self-organized superlattices  Molecular beam epitaxy  Inalas alloy  Hrxrd  Tem   Raman study on self-assembled inas/inalas/inp(001) quantum wires 期刊论文 Nanotechnology, 2005, 卷号: 16, 期号: 9, 页码: 1974-1977 作者:  Lei, W;  Chen, YH;  Xu, B;  Ye, XL;  Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Realization of highly uniform self-assembled inas quantum wires by the strain compensating technique 期刊论文 Applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 8, 页码: 3 作者:  Huang, XQ;  Wang, YL;  Li, L;  Liang, L;  Liu, FQ 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Effect of layer thickness of immiscible alloy in0.52al0.48as on the morphology of inas nanostructure grown on in0.52al0.48as/inp(001) 期刊论文 Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 273, 期号: 3-4, 页码: 494-499 作者:  Zhao, FA;  Chen, YH;  Ye, XL;  Xu, B;  Jin, P 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Nanostructures  Molecular beam epitaxy  Semiconducting iii-v materials   Polarized photoluminescence and temperature-dependent - photoluminescence study of inas quantum wires on inp(001) 期刊论文 Pricm 5: the fifth pacific rim international conference on advanced materials and processing, pts 1-5, 2005, 卷号: 475-479, 页码: 1897-1900 作者:  Lei, W;  Chen, YH;  Wang, YL;  Ye, XL;  Jin, P 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/12 Polarized photoluminescence  Temperature-dependent photoluminescence  Inas quantum wires  Inp   Effect of layer thickness of immiscible alloy In0.52Al0.48As on the morphology of InAs nanostructure grown on In0.52Al0.48As/InP(001) 期刊论文 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 273, 期号: 3-4, 页码: 494-499 作者:  Xu B;  Ye XL;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/03/17 nanostructures   Polarized photoluminescence and temperature-dependent - Photoluminescence study of InAs quantum wires on InP(001) 期刊论文 pricm 5: the fifth pacific rim international conference on advanced materials and processing, 2005, 卷号: pts 1-5, 期号: 475-479, 页码: 1897-1900 作者:  Ye XL;  Xu B;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/03/17 polarized photoluminescence   Realization of highly uniform self-assembled InAs quantum wires by the strain compensating technique 期刊论文 applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 8, 页码: art.no.083108 Huang, XQ; Wang, YL; Li, L; Liang, L; Liu, FQ 收藏  |  浏览/下载：39/18  |  提交时间：2010/03/17 INP(001)