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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2005    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The effect of the alxga1-xn/ain buffer layer on the properties of gan/si(111) film grown by nh3-mbe 期刊论文 Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 280, 期号: 3-4, 页码: 346-351 作者:  Zhang, NH;  Wang, XL;  Zeng, YP;  Xiao, HL;  Wang, JX 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence  Raman  Molecular beam epitaxy  Gallium nitride  Silicon   Growth and properties of gan on si (111) substrates with algan/aln buffer layer by nh3-gsmbe 期刊论文 Journal of physics d-applied physics, 2005, 卷号: 38, 期号: 12, 页码: 1888-1891 作者:  Zhang, NH;  Wang, XL;  Zeng, YP;  Xiao, HL;  Wang, JX 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Crack-free gan/si(111) epitaxial layers grown with inalgan alloy as compliant interlayer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 279, 期号: 3-4, 页码: 335-340 作者:  Wu, JJ;  Han, XX;  Li, JM;  Li, DB;  Lu, Y 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Cracks  (111) substrate  Stresses  Metalorganic chemical vapor deposition  Gan  Inalgan buffer   Growth and properties of GaN on Si (111) substrates with AlGaN/AlN buffer layer by NH3-GSMBE 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2005, 卷号: 38, 期号: 12, 页码: 1888-1891 Zhang NH; Wang XL; Zeng YP; Xiao HL; Wang JX; Liu HX; Li JM 收藏  |  浏览/下载：64/25  |  提交时间：2010/03/17 TEMPERATURE ALN INTERLAYERS