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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2005    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The structural and photoluminescence character of InAs quantum dots grown on a combined InAlAs and GaAs strained buffer 期刊论文 pricm 5: the fifth pacific rim international conference on advanced materials and processing, 2005, 卷号: pts 1-5, 期号: 475-479, 页码: 1791-1794 Shi, GX; Xu, B; Jin, P; Ye, XL; Cui, CX; Zhang, CL; Wu, J; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/03/17 quantum dots  strain buffer layer  InAs  photoluminescence  WELL  LASER  LAYER   Concentration effect of Mn2+ on the photoluminescence of ZnS : Mn nanocrystals 期刊论文 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 279, 期号: 3-4, 页码: 454-460 Peng WQ; Qu SC; Cong GW; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：39/20  |  提交时间：2010/03/17 doping   Structural and optical investigation of Mn-doped ZnS nanocrystals 期刊论文 pricm 5: the fifth pacific rim international conference on advanced materials and processing, 2005, 卷号: pts 1-5, 期号: 475-479, 页码: 1795-1798 Peng, WQ; Qu, SC; Cong, GW; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/03/17 ZnS  nanocrystals  photoluminescence  SULFIDE  LUMINESCENCE   Cleaved-edge overgrowth of aligned InAs islands on GaAs(110) 期刊论文 nanotechnology, 2005, 卷号: 16, 期号: 11, 页码: 2661-2664 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：131/28  |  提交时间：2010/03/17 QUANTUM DOTS