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카드뮴을포함한II-VI족화합물반도체층의성장방법 专利
专利号: KR100446202B1, 申请日期: 2004-08-19, 公开日期: 2004-11-16
作者:  다마무라고시;  쯔가모또히로노리;  이께다마사오
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半導体発光装置 专利
专利号: JP3557644B2, 申请日期: 2004-05-28, 公开日期: 2004-08-25
作者:  奥山 浩之;  秋本 克洋;  石橋 晃;  白石 誠司;  伊藤 哲
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