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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2003 [4]
学科主题
半导体材料 [2]
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发表日期:2003
专题:半导体研究所
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Effect of a low-temperature thin buffer layer on the strain accommodation of in0.25ga0.75as grown on a gaas(001) substrate
期刊论文
Semiconductor science and technology, 2003, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 955-959
作者:
Zhang, ZC
;
Chen, YH
;
Yang, SY
;
Zhang, FQ
;
Ma, BS
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/05/12
Strain accommodation of 3c-sic grown on hydrogen-implanted si (001) substrate
期刊论文
Journal of crystal growth, 2003, 卷号: 257, 期号: 3-4, 页码: 321-325
作者:
Zhang, ZC
;
Chen, YH
;
Li, DB
;
Zhang, FQ
;
Yang, SY
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/05/12
Substrate
Heteroepitaxy
Low pressure chemical vapor deposition
Semiconducting silicon carbide
Strain accommodation of 3C-SiC grown on hydrogen-implanted Si (001) substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 257, 期号: 3-4, 页码: 321-325
作者:
Li DB
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2010/08/12
substrate
heteroepitaxy
low pressure chemical vapor deposition
semiconducting silicon carbide
COMPLIANT SUBSTRATE
CRITICAL THICKNESS
SILICON
RELAXATION
MECHANISM
DEFECTS
LAYERS
Effect of a low-temperature thin buffer layer on the strain accommodation of In0.25Ga0.75As grown on a GaAs(001) substrate
期刊论文
semiconductor science and technology, 2003, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 955-959
作者:
Xu B
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浏览/下载:73/0
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提交时间:2010/08/12
RELAXATION
SI
HETEROSTRUCTURES
KINETICS
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