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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2003    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Difference of luminescent properties between strained InAsP/InP and strain-compensated InAsP/InGaAsP MQWs 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 256, 期号: 1-2, 页码: 96-102 Lei, HP; Wu, HZ; Lao, YF; Qi, M; Li, AZ; Shen, WZ 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/03/24 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  QUANTUM-WELLS  LASER-DIODES  TEMPERATURE-DEPENDENCE  BAND-STRUCTURE  PHOTOLUMINESCENCE  GROWTH  SEMICONDUCTORS  POWER